- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VBQA1401
N沟道 40V 100A
- 描述
- DFN8(5X6)；N—Channel沟道,40V；100A；RDS(ON)=8.6mΩ@VGS=10V,VGS=20V/-16V；Vth=1~2.2V；是一款单N型MOSFET，采用Trench技术，适用于电动车电源模块、工业电源模块、高性能服务器模块等领域。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBQA1401
- 商品编号
- C42412624
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.86mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 59.2nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 8.445nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.31nF | |
| 栅极电压(Vgs) | -16V~20V |
商品特性
- 沟槽第四代功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- Qgd/Qgs比<1,优化开关特性
应用领域
- 同步整流
- 或门功能
- 高功率密度DC/DC
- 电压调节模块(VRMs)和嵌入式DC/DC
- DC/AC逆变器
- 负载开关