- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VBMB1202M
VBMB1202M
- 描述
- TO220F；N—Channel沟道,200V；18A；RDS(ON)=200mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款单N型场效应晶体管产品，采用Trench技术，适用于需要高电压、高功率和高效率的应用领域。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBMB1202M
- 商品编号
- C42412621
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC | |
| 输入电容(Ciss) | 860pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 260pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 隔离封装
- 高电压隔离 = 2.5 kVRMS(t = 60 s;f = 60 Hz)
- 漏极至引脚爬电距离 = 4.8 mm
- 工作温度 175 °C
- 动态 dV/dt 额定值
- 低热阻
- 提供无铅(Pb)版本
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 直流-直流转换-笔记本系统电源-负载点电源