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VBMB1202M
VBMB1202M
- 描述
- TO220F；N—Channel沟道,200V；18A；RDS(ON)=200mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款单N型场效应晶体管产品，采用Trench技术，适用于需要高电压、高功率和高效率的应用领域。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBMB1202M
- 商品编号
- C42412621
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 隔离封装
- 高电压隔离 = 2.5 kVRMS(t = 60 s;f = 60 Hz)
- 漏极至引脚爬电距离 = 4.8 mm
- 工作温度 175 °C
- 动态 dV/dt 额定值
- 低热阻
- 提供无铅(Pb)版本
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 直流-直流转换-笔记本系统电源-负载点电源