- 引脚图
- 焊盘图
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VBQA1204N
VBQA1204N
- 描述
- DFN8(5X6)；N—Channel沟道,200V；30A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款高性能的单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于电源模块、LED照明模块和汽车电子模块等领域。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBQA1204N
- 商品编号
- C42412623
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.38nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 142pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 雷电技术优化了导通电阻(RDS(on))、栅极电荷(Qg)、开关电荷(Qsw)和输出电容电荷(Qoss)的平衡
- 进行100%栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
应用领域
-固定电信-直流-直流转换器-初级和次级侧开关-同步整流-LED照明-电源-D类放大器