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VBL2205M
VBL2205M
- 描述
- TO263；P—Channel沟道,-200V；-11A；RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-2~-4V；是一款单P型Trench技术的MOSFET，适用于多个电子领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBL2205M
- 商品编号
- C42412618
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.613克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 81pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 370pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 动态dV/dt额定值
- 重复雪崩额定
- P沟道
- 快速开关
- 易于并联
- 驱动要求简单
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流（DC/DC）转换器
- 高速开关