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VBM1201N
VBM1201N
- 描述
- TO220；N—Channel沟道,200V；100A；RDS(ON)=7.6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款单晶N沟道场效应管，采用了Trench技术，适用于汽车系统的电源管理和电动驱动控制。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBM1201N
- 商品编号
- C42412620
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 雷暴功率MOSFET
- 最高结温175°C
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 电源
- 不间断电源
- 交流/直流开关模式电源
- 照明
- 同步整流
- 直流/直流转换器
- 电机驱动开关
- 直流/交流逆变器
- 太阳能微型逆变器
- D类音频放大器