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VBM1202N
VBM1202N
- 描述
- TO220；N—Channel沟道,200V；80A；RDS(ON)=17mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款单通道N型MOS场效应管，采用Trench技术，适用于多种电子领域和模块应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBM1202N
- 商品编号
- C42412619
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 雷电功率MOSFET
- 最高结温175°C
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 电源
- 不间断电源
- 交直流开关电源
- 照明
- 同步整流
- 直流-直流转换器
- 电机驱动开关
- 直流-交流逆变器
- 太阳能微型逆变器
- D类音频放大器