- 引脚图
- 焊盘图
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VBE2201K
VBE2201K
- 描述
- TO252；P—Channel沟道,-200V；-3.6A；RDS(ON)=1000mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-2~-4V；是一款单P型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于多种应用场景。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBE2201K
- 商品编号
- C42412616
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 74W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
-表面贴装-提供卷带包装-动态dv/dt额定值-重复雪崩额定-P沟道-快速开关-易于并联-符合RoHS标准-无卤素-漏极连接到散热片
应用领域
- 负载开关