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VB4290A
P沟道 耐压:20V 电流:4A
- 描述
- SOT23-6；2个P—Channel沟道,-20V；-4A；RDS(ON)=65mΩ@VGS=10V,VGS=12V；Vth=-1.2~-2.2V；是一款双通道P型MOSFET，采用Trench工艺，适合在有限空间内进行布局设计。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VB4290A
- 商品编号
- C42412613
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.14W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 210pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF |
商品特性
- 根据 IEC 61249 - 2 - 21 定义为无卤产品
- 沟槽功率 MOSFET
- 100%进行 Rg 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 便携式应用的负载开关
- 便携式设备的电池开关
- 计算机
- 总线开关
- 负载开关