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VBMB2104N
VBMB2104N
- 描述
- TO220F；P—Channel沟道,-100V；-50A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于多种电源模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBMB2104N
- 商品编号
- C42412612
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 低热阻沟槽功率 MOSFET 封装
- 100% 进行 Rg 和 UIS 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 电源开关-DC/DC转换器