- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VBBD3222
VBBD3222
- 描述
- QFN8(3X2)；2个N—Channel沟道,20V；4.8A；RDS(ON)=17mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=1.2~2.2V；是一款高性能的双N沟MOSFET，采用Trench技术，适合各种需要双N沟MOSFET配置的应用场景。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBBD3222
- 商品编号
- C42412611
- 商品封装
- DFN-8(2x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.046克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 235pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% Rq 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 便携式应用的负载开关
- DC/DC 转换器