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VBQF1102N
VBQF1102N
- 描述
- QFN8(3X3)；N—Channel沟道,100V；35.3A；RDS(ON)=17.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款单路N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于各种应用场景。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBQF1102N
- 商品编号
- C42412608
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 沟槽第四代功率MOSFET
- 极低的导通电阻-栅极电荷品质因数(FOM)
- 针对最低的导通电阻-输出电荷品质因数进行优化
- 100%进行Rq和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 同步整流
- 初级侧开关
- DC/DC转换器
- 电机驱动开关
- 电池和负载开关
- 工业用N沟道MOSFET