- 引脚图
- 焊盘图
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VBJ2251K
VBJ2251K
- 描述
- SOT223；P—Channel沟道,-250V；-2.1A；RDS(ON)=1200mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-2~-4V；是一款单P型MOSFET，采用Trench技术，适用于许多电子领域和电源模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBJ2251K
- 商品编号
- C42412607
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.212克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.7nC | |
| 输入电容(Ciss) | 200pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 94pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 表面贴装
- 提供卷带包装
- 动态dV/dt额定值
- 重复雪崩额定
- P沟道
- 快速开关
- 易于并联
- 符合RoHS标准
- 无卤
- 提供SOT-223封装