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VBE5307
VBE5307
- 描述
- TO252；N+P—Channel沟道,±30V；65/-35A；RDS(ON)=7/25mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3V；是一款采用Trench技术共栅N+P沟道功率MOSFET，适用于各种电力电子应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBE5307
- 商品编号
- C42412552
- 商品封装
- TO-252-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.414克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC