- 引脚图
- 焊盘图
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VBE5307
VBE5307
- 描述
- TO252；N+P—Channel沟道,±30V；65/-35A；RDS(ON)=7/25mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3V；是一款采用Trench技术共栅N+P沟道功率MOSFET，适用于各种电力电子应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBE5307
- 商品编号
- C42412552
- 商品封装
- TO-252-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.414克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V；30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A；35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V；25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 8.4W；9.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V；3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC；8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 625pF；950pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF；60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 65pF；85pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 进行 Rg 和 UIS 测试
应用领域
- 冷阴极荧光灯管(CCFL)逆变器
- N 沟道
- P 沟道