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VBE2670
VBE2670
- 描述
- TO252；P—Channel沟道,-60V；-25A；RDS(ON)=70mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；是一款采用Trench技术的单P型MOSFET，应用于多种电子领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBE2670
- 商品编号
- C42412569
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 100% 经过单脉冲雪崩耐量(UIS)测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 全桥转换器的高端开关
- 液晶显示器(LCD)的 DC/DC 转换器