- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V；20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A；4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@4.5V；34mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V；1.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC；4.7nC | |
| 输入电容(Ciss) | 320pF；345pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF；52pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 67pF；66pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±10V；±10V |
商品特性
- N沟道 + P沟道MOSFET
- N沟道导通电阻:RDS(on)1 = 34mΩ(典型值)
- P沟道导通电阻:RDS(on)1 = 65mΩ(典型值)
- 1.8V驱动
- 符合无卤要求
应用领域
- 笔记本电脑-系统电源-负载开关