- 引脚图
- 焊盘图
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VBL1252M
VBL1252M
- 描述
- TO263；N—Channel沟道,250V；16A；RDS(ON)=230mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于中功率的开关和控制应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBL1252M
- 商品编号
- C42412592
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.995克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 230mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 68nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 330pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
-动态dv/dt额定值-重复雪崩额定-快速开关-易于并联-驱动要求简单-符合RoHS标准-N沟道MOSFET