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VBM2101M
VBM2101M
- 描述
- TO220；P—Channel沟道,-100V；-23A；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；是一款单P通道沟道场效应管，采用Trench技术，适用于多种领域和模块，可实现电源开关控制、功率管理和信号放大等功能。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBM2101M
- 商品编号
- C42412595
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- N沟道 + P沟道MOSFET
- N沟道导通电阻：RDS(on)1 = 34mΩ（典型值）
- P沟道导通电阻：RDS(on)1 = 65mΩ（典型值）
- 1.8V驱动
- 符合无卤要求