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VBM2609
P沟道 耐压:60V 电流:90A
- 描述
- TO220；P—Channel沟道,-60V；-90A；RDS(ON)=7.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；是一款单P型MOSFET，采用Trench技术，适用于电动工具、LED照明和电源逆变器等多个领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBM2609
- 商品编号
- C42412596
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 5.87克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.4mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 240nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 760pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 975pF |
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