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VBM1803
VBM1803
- 描述
- TO220；N—Channel沟道,80V；195A；RDS(ON)=2.8mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款单N型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于高功率应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBM1803
- 商品编号
- C42412605
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 最高结温175 °C
- 极低的栅漏电荷(Qgd)可降低穿越平台电压(Vplateau)时的功率损耗
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
-电源-次级同步整流-DC/DC转换器-电动工具-电机驱动开关-DC/AC逆变器-电池管理