- 引脚图
- 焊盘图
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VBQA2303
VBQA2303
- 描述
- DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-30V；-100A；RDS(ON)=3.2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；是一款单P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于DC-DC转换器、电源开关和逆变器、高效率和高功率密度的应用中。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBQA2303
- 商品编号
- C42412598
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 78nC | |
| 输入电容(Ciss) | 8.65nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.125nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.215nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 笔记本电脑
- 负载开关