- 引脚图
- 焊盘图
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VBM1401
VBM1401
- 描述
- TO220；N—Channel沟道,40V；280A；RDS(ON)=1mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=1.2~2.5V；是一款单路N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于高功率功率控制和开关应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBM1401
- 商品编号
- C42412586
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 45V | |
| 连续漏极电流(Id) | 280A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 312W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 240nC | |
| 输入电容(Ciss) | 18.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 850pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.55nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±25V |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 经过100%栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
应用领域
-同步整流-电源