- 引脚图
- 焊盘图
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VBQF1320
VBQF1320
- 描述
- DFN8(3X3)；N—Channel沟道,30V；18A；RDS(ON)=21mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；是一款单N型MOSFET，采用Trench技术，适用于电源管理模块、电机驱动模块、汽车电子模块等领域。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBQF1320
- 商品编号
- C42412589
- 商品封装
- DFN-8-EP(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 15.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 435pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 95pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 进行栅极电阻(Rg)测试
- 符合 RoHS 标准
应用领域
-笔记本电脑-系统电源-负载开关