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VBQG4338
VBQG4338
- 描述
- DFN6(2X2)；2个P—Channel沟道,-30V；-5.4A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；是一款双P型MOSFET，采用Trench技术，适用于各种电源和功率控制应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBQG4338
- 商品编号
- C42412588
- 商品封装
- DFN-6-EP(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21标准的无卤产品
- 沟槽功率MOSFET
- 新型低热阻封装
- 符合RoHS标准
- 提供无卤产品
应用领域
-便携式设备-电池开关-负载开关