温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VBM2611
P沟道 耐压:60V 电流:80A
- 描述
- TO220；P—Channel沟道,-60V；-8A；RDS(ON)=120mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=-1~-3V；是一款采用Trench技术高性能的P通道MOSFET，适用于各种电力要求较高的应用场景。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBM2611
- 商品编号
- C42412572
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 5.83克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 240nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 760pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 975pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 进行 Rg 和 UIS 测试
应用领域
- 冷阴极荧光灯管（CCFL）逆变器
- N 沟道
- P 沟道