- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VBMB2611
VBMB2611
- 描述
- TO220F；P—Channel沟道,-60V；-60A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=-1~-3V；是一款采用Trench技术单P型场效应晶体管，适用于车载电源模块、功率转换模块等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBMB2611
- 商品编号
- C42412573
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 61.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 67nC | |
| 输入电容(Ciss) | 6.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 230pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤标准
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 100% 进行 Rg 和 UIS 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 同步整流-电源