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VBE1152N
VBE1152N
- 描述
- TO252；N—Channel沟道,150V；50A；RDS(ON)=19mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款单N型晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各类电源模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBE1152N
- 商品编号
- C42412576
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 175°C结温
- PWM优化
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
-初级侧开关