- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VBM2205M
VBM2205M
- 描述
- TO220；P—Channel沟道,-200V；-11A；RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-2~-4V；是一款高性能的功率MOSFET，采用Trench技术，适用于高压应用场景。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBM2205M
- 商品编号
- C42412574
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@-10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 81pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 370pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
-动态dv/dt额定值-重复雪崩额定-P沟道-快速开关-易于并联-驱动要求简单-符合RoHS标准