- 引脚图
- 焊盘图
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VBE1305
VBE1305
- 描述
- TO252；N—Channel沟道,30V；85A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=1.2~2.5V；是一款高性能N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于各种高功率和高效率的应用场景。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBE1305
- 商品编号
- C42412561
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 312W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 550pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±25V |
商品特性
- 沟槽型功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 同步整流
- 电源