温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VBE2355
VBE2355
- 描述
- TO252；P—Channel沟道,-30V；-14.9A；RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V,VGS=12V；Vth=-1.4~-2.5V；是一款采用Trench技术高性能P通道MOSFET，适用于多种电子应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBE2355
- 商品编号
- C42412568
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 结温175 °C
- TrenchFET功率MOSFET
- 材料分类：符合RoHS标准
- TO-251
- N沟道MOSFET