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VBE2355
VBE2355
- 描述
- TO252；P—Channel沟道,-30V；-14.9A；RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V,VGS=12V；Vth=-1.4~-2.5V；是一款采用Trench技术高性能P通道MOSFET，适用于多种电子应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBE2355
- 商品编号
- C42412568
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 100%进行单脉冲雪崩耐量(UIS)测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-负载开关-笔记本电脑适配器开关