- 引脚图
- 焊盘图
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VBE2355
VBE2355
- 描述
- TO252；P—Channel沟道,-30V；-14.9A；RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V,VGS=12V；Vth=-1.4~-2.5V；是一款采用Trench技术高性能P通道MOSFET，适用于多种电子应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBE2355
- 商品编号
- C42412568
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 390pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 455pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 100%进行单脉冲雪崩耐量(UIS)测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-负载开关-笔记本电脑适配器开关