- 引脚图
- 焊盘图
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VBM1205N
VBM1205N
- 描述
- TO220；N—Channel沟道,200V；35A；RDS(ON)=56mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款采用Trench技术单N通道MOSFET，适用于电源模块、工业控制模块等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBM1205N
- 商品编号
- C42412562
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 56mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 95nC | |
| 输入电容(Ciss) | 6.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 沟槽功率 MOSFET
- 175 °C 结温
- 新型低热阻封装
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 工业领域