VBM1205N
VBM1205N
- 描述
- TO220;N—Channel沟道,200V;35A;RDS(ON)=56mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;是一款采用Trench技术单N通道MOSFET,适用于电源模块、工业控制模块等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBM1205N
- 商品编号
- C42412562
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 沟槽功率 MOSFET
- 175 °C 结温
- 新型低热阻封装
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 工业领域
