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VBM1205N
VBM1205N
- 描述
- TO220；N—Channel沟道,200V；35A；RDS(ON)=56mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款采用Trench技术单N通道MOSFET，适用于电源模块、工业控制模块等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBM1205N
- 商品编号
- C42412562
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义为无卤产品
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 电机驱动
- 移动电源