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VBL1206N
VBL1206N
- 描述
- TO263；N—Channel沟道,200V；40A；RDS(ON)=50mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款采用Trench技术高性能单N型MOSFET，适用于电源管理、工业控制等领域。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBL1206N
- 商品编号
- C42412563
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.995克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 结温175 °C
- 低热阻封装
- 针对快速开关优化的PWM
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 隔离式DC/DC转换器
- 初级侧开关