- 引脚图
- 焊盘图
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VBL1206N
VBL1206N
- 描述
- TO263；N—Channel沟道,200V；40A；RDS(ON)=50mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款采用Trench技术高性能单N型MOSFET，适用于电源管理、工业控制等领域。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBL1206N
- 商品编号
- C42412563
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.995克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 300pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 结温175 °C
- 低热阻封装
- 针对快速开关优化的PWM
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 隔离式DC/DC转换器
- 初级侧开关