- 引脚图
- 焊盘图
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VBF1638
VBF1638
- 描述
- TO251；N—Channel沟道,60V；35A；RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；是一款采用Trench技术的高性能N通道MOSFET，提供了低导通电阻和优异的电流处理能力，适用于各种高功率应用场景。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBF1638
- 商品编号
- C42412564
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 281pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 根据 IEC 61249-2-21 定义为无卤产品
- 沟槽功率 MOSFET
- 100%进行 Rg 和 UIS 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
-电源-次级同步整流-DC/DC 转换器