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VBE1151M
VBE1151M
- 描述
- TO252；N—Channel沟道,150V；15A；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2V；是一款高性能N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于各种要求中高压和中等电流的应用场景。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBE1151M
- 商品编号
- C42412567
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 结温175°C
- 低热阻封装
- 100%进行Rg测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-隔离式DC/DC转换器