- 引脚图
- 焊盘图
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VBE14R02
VBE14R02
- 描述
- TO252；N—Channel沟道,400V；2A；RDS(ON)=3500mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款高压N沟道MOSFET，采用Plannar技术，适合用于需要高电压控制的场合。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBE14R02
- 商品编号
- C42412559
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 36W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC | |
| 输入电容(Ciss) | 170pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 34pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
-动态dv/dt额定值-重复雪崩额定-快速开关-易于并联-驱动要求简单-符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 电源-不间断电源-交/直流开关电源-照明-同步整流-直流/直流转换器-电机驱动开关-直流/交流逆变器-太阳能微型逆变器-D类音频放大器