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VBE14R02
VBE14R02
- 描述
- TO252；N—Channel沟道,400V；2A；RDS(ON)=3500mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款高压N沟道MOSFET，采用Plannar技术，适合用于需要高电压控制的场合。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBE14R02
- 商品编号
- C42412559
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- SGT技术功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 最高结温175 °C
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 电源-不间断电源-交/直流开关电源-照明-同步整流-直流/直流转换器-电机驱动开关-直流/交流逆变器-太阳能微型逆变器-D类音频放大器