温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VB5460
N沟道+P沟道 耐压:40V 电流:8A
- 描述
- SOT23-6；N+P—Channel沟道,±40V；8/-4A；RDS(ON)=30/70mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1V；是一款双N+P 型功率场效应晶体管，采用Trench技术，适用于一些低功率应用场合。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VB5460
- 商品编号
- C42412554
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.15W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.6nC@5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC