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VBHA1230N
N沟道 耐压:20V 电流:0.9A
- 描述
- SOT23；N—Channel沟道,20V；0.9A；RDS(ON)=300mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.5~0.9V；是一款采用Trench技术低电压单N沟道MOSFET，适用于传感器接口、医疗电子、智能家居等应用领域。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBHA1230N
- 商品编号
- C42412556
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 900mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.9nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 沟槽功率 MOSFET
- 175 °C 结温
- 新型低热阻封装
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 工业领域