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VBB1240
N沟道 耐压:20V 电流:6A
- 描述
- SOT23-3；N—Channel沟道,20V；6A,RDS(ON)=26.5mΩ@4.5V,VGS=8V；Vth=0.45~1V；是一款高效能的单极N沟MOSFET，采用Trench 技术，适用于各种电源管理和功率控制应用场景。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBB1240
- 商品编号
- C42412558
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.023克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34.5mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 865pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品特性
- 沟槽式场效应功率 MOSFET
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 直流/直流主开关