VBNCB1603
VBNCB1603
- 描述
- TO262;N—Channel沟道,60V;210A;RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;是一款采用Trench技术高性能N通道MOSFET,适用于电源管理、电动驱动系统等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBNCB1603
- 商品编号
- C42412555
- 商品封装
- TO-262
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
交货周期
订货9-11个工作日购买数量
(1个/管,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个1个/管
总价金额:
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