- 引脚图
- 焊盘图
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VBNCB1603
VBNCB1603
- 描述
- TO262；N—Channel沟道,60V；210A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；是一款采用Trench技术高性能N通道MOSFET，适用于电源管理、电动驱动系统等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBNCB1603
- 商品编号
- C42412555
- 商品封装
- TO-262
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 210A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.65nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 470pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 175°C 结温
- 沟槽功率 MOSFET
- 材料分类:符合 RoHS 标准
- N 沟道 MOSFET