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VBNCB1603
VBNCB1603
- 描述
- TO262；N—Channel沟道,60V；210A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；是一款采用Trench技术高性能N通道MOSFET，适用于电源管理、电动驱动系统等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBNCB1603
- 商品编号
- C42412555
- 商品封装
- TO-262
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 175°C 结温
- 沟槽功率 MOSFET
- 材料分类:符合 RoHS 标准
- N 沟道 MOSFET