- 引脚图
- 焊盘图
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VBE5410
VBE5410
- 描述
- TO252；N+P—Channel沟道,±40V；70/-60A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3V；是一款采用Trench技术共栅N+P沟道功率MOSFET，适用于高密度集成和散热要求较高的场景。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBE5410
- 商品编号
- C42412553
- 商品封装
- TO-252-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.414克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V；40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A；60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 108W；108W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V；3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 420nC；310nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.799nF；2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 220pF；109pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 320pF；282pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V；±20V |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 冷阴极荧光灯管(CCFL)逆变器