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VBE5410
VBE5410
- 描述
- TO252；N+P—Channel沟道,±40V；70/-60A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3V；是一款采用Trench技术共栅N+P沟道功率MOSFET，适用于高密度集成和散热要求较高的场景。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBE5410
- 商品编号
- C42412553
- 商品封装
- TO-252-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.414克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 冷阴极荧光灯管(CCFL)逆变器