- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VBQA5325
VBQA5325
- 描述
- QFN8(5X6)N+P—Channel沟道,±30V；±8A；RDS(ON)=22/31mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=±0.5~±1V；是一款采用Trench技术双N+P型场效应晶体管，适用于电源管理、电机驱动等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBQA5325
- 商品编号
- C42412551
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V；30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A；8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V；31mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V；1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18.5nC；6.2nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 620pF；510pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 57pF；33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 115pF；95pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V；±12V |
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义为无卤产品
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 电机驱动
- 移动电源