- 引脚图
- 焊盘图
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VBQF125N5K
VBQF125N5K
- 描述
- QFN8(3X3),N—Channel沟道,250V,2.5A,RDS(ON)=1500mΩ@10V,VGS=20V；Vth=1~3V；是一款采用Trench技术单N型沟道MOSFET，适用于便携式电子产品、传感器接口模块等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBQF125N5K
- 商品编号
- C42412547
- 商品封装
- DFN-8-EP(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 14.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 400pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 65pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 低热阻封装
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
-初级侧开关-同步整流-直流-直流转换器-照明-工业领域