- 引脚图
- 焊盘图
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VBMB1254N
VBMB1254N
- 描述
- TO220F；N—Channel沟道,250V；40A；RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款高性能的单路N沟道场效应管，采用Trench技术，适用于高功率电子设备和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBMB1254N
- 商品编号
- C42412539
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 430pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 符合 IEC 61249 - 2 - 21 定义的无卤要求
- 表面贴装
- 低外形通孔封装
- 提供卷带包装
- 动态 dV/dt 额定值
- 工作温度可达 150 °C
- 快速开关
- 完全雪崩额定
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC