- 引脚图
- 焊盘图
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VBQA1254N
VBQA1254N
- 描述
- QFN8(5X6)N—Channel沟道,250V；35A；RDS(ON)=42mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=2~4V；是一款采用Trench技术单N型场效应晶体管，适用于需要高电压、高电流和高效率的应用领域。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBQA1254N
- 商品编号
- C42412541
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 109W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.18nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 142pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- ThunderFET技术优化了RDS(on)、Qg、Qsw和Qoss的平衡
- 进行了100%的Rg和UIS测试
应用领域
-固定电信-DC/DC转换器-初级和次级侧开关-同步整流-LED照明-电源-D类放大器