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VBGE1256N
VBGE1256N
- 描述
- TO252；N—Channel沟道,250V；25A；RDS(ON)=60mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~4.5V；是一款采用SGT技术的单通道N型MOSFET，适用于电源模块、电动工具、充电器和逆变器等领域的各种模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBGE1256N
- 商品编号
- C42412542
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 175°C 结温
- 沟槽功率 MOSFET
- 材料分类：符合 RoHS 标准
- N 沟道 MOSFET