VBM1254N
VBM1254N
- 描述
- TO220;N—Channel沟道,250V;50A;RDS(ON)=41mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;这是一款单N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。采用Trench技术,适用于需要小功率、小尺寸和低功率特性的应用,包括小型电子模块、信号放大模块和电源管理模块等领域
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBM1254N
- 商品编号
- C42412540
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 表面贴装
- 薄型通孔封装
- 可提供卷带包装
- 动态 dV/dt 额定值
- 工作温度可达 150 °C
- 快速开关
- 完全雪崩额定
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 电源-不间断电源-交直流开关电源-照明-同步整流-直流-直流转换器-电机驱动开关-直流-交流逆变器-太阳能微型逆变器-D类音频放大器
