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VBM1204M
VBM1204M
- 描述
- TO220；N—Channel沟道,200V；9A；RDS(ON)=400mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款采用Trench技术单N型场效应晶体管产品,适用于需要适中电压和功率的应用领域。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBM1204M
- 商品编号
- C42412534
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- DT沟槽功率MOSFET
- 结温175 °C
- 脉宽调制(PWM)优化
- 100%栅极电阻(Rg)测试
- 符合2002/95/EC号RoHS指令
应用领域
-初级侧开关-N沟道MOSFET