- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VBM1204M
VBM1204M
- 描述
- TO220；N—Channel沟道,200V；9A；RDS(ON)=400mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款采用Trench技术单N型场效应晶体管产品,适用于需要适中电压和功率的应用领域。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBM1204M
- 商品编号
- C42412534
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 121W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 110pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- DT沟槽功率MOSFET
- 结温175 °C
- 脉宽调制(PWM)优化
- 100%栅极电阻(Rg)测试
- 符合2002/95/EC号RoHS指令
应用领域
-初级侧开关-N沟道MOSFET