- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VBFB1204M
VBFB1204M
- 描述
- TO251；N—Channel沟道,200V；9A；RDS(ON)=400mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款采用Trench技术单N沟道MOSFET，适用于工业电源、电动车充电器、太阳能逆变器和UPS系统等多个领域。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBFB1204M
- 商品编号
- C42412535
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 74W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 76pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 240pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 表面贴装
- 提供卷带包装
- 动态dV/dt额定值
- 重复雪崩额定值
- 快速开关
- 易于并联
- 驱动要求简单
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 初级侧开关-同步整流-直流-直流转换器-照明-工业领域