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VBI1202K
N沟道 耐压:200V 电流:1A
- 描述
- SOT89-3；N—Channel沟道,200V；1A；RDS(ON)=1600mΩ@VGS=4.5V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款采用Trench技术单N型场效应晶体管产品，适用于需要低功率和小尺寸的应用领域。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBI1202K
- 商品编号
- C42412537
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.35克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 140pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 53pF |
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