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VBI1201K
N沟道 耐压:200V 电流:2A
- 描述
- SOT89-3；N—Channel沟道,200V；2A；RDS(ON)=800mΩ@VGS=4.5V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款采用Trench技术单N沟道MOSFET，适用于电源管理模块、LED驱动模块等电子应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBI1201K
- 商品编号
- C42412536
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.35克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 140pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 53pF |
商品特性
- 提供卷带包装
- 动态电压变化率(dV/dt)额定值
- 重复雪崩额定值
- 快速开关
- 易于并联
- 驱动要求简单
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 电源-不间断电源-交直流开关电源-照明-同步整流-直流-直流转换器-电机驱动开关-直流-交流逆变器-太阳能微型逆变器-D类音频放大器-电池管理