- 引脚图
- 焊盘图
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VBA5104N
VBA5104N
- 描述
- SOP8；N+P—Channel沟道,±100V；6.3/-5.2A；RDS(ON)=80/150mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3V；是一款双N沟道和P沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于各种电源和功率控制应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBA5104N
- 商品编号
- C42412413
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V；100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.3A；5.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V；55mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | -；3.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V；3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14.5nC；13nC | |
| 输入电容(Ciss) | 865pF；850pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF；80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 115pF；95pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 进行 Rg 和 UIS 测试
应用领域
- 冷阴极荧光灯(CCFL)逆变器
- N 沟道 MOSFET
- P 沟道 MOSFET